温补晶荡TCXO
Elite Platform™Super-TCXO高精度温补振荡器具有严格的稳定性（±0.05 ppm至±2.5 ppm），1至220 MHz任意频率，具有出色的动态性能和丰富的功能。SiTime温补振荡器解决了电信，网络和精密GNSS系统中根深蒂固的时序问题。可用于替代新兴的5G和IEEE 1588同步应用中的传统石英恒温晶振OCXO，同时降低功耗和尺寸。
恒温晶振OCXO
高精度Emerald OCXO除最小的9 x 7 mm占地面积外，还提供±5至±8 ppb的稳定性，1至220 MHz的频率以及三个标准的OCXO足迹。这些设备可在新兴的5G和IEEE 1588同步应用中用作传统石英OCXO的直接替代产品，同时提高整体系统性能和鲁棒性。
压控振荡器VCXO
MEMS VCXO为视频分发（CMTS），网络，电信和仪器仪表应用提供了出色的动态性能和高可靠性，包括LVCMOS单端和差分压控晶振两类产品。 这些设备经过精心设计，可在电击，振动，噪声电源和EMI的环境下保持相同的相位噪声和频率调整精度。 它们使电缆头端和远程无线电头（RRH）等设备能够在不受控制的环境（例如非空调地下室或屋顶）中提供最高的性能，最佳的可靠性和最高的服务质量。
MEMS谐振器
全硅MEMS谐振器是MEMS硅晶振和时钟发生器等系列产品的核心所在，包括MHz和KHz两类产品。在低于μA级别的功耗下，kHz频率的谐振器主要用于定时（如真正的定时器）和电源管理（如休眠和唤醒功能）。MHz频率的谐振器则用于对数据传输速度要求较高的各种串行和并行协议中。两种谐振器都能在频率稳定度及精度都很高的 VCXOs和TCXOs系列振荡器中使用。
32.768KHz有源晶振
MEMS 32.768kHz振荡器和TCXO组合产品，包括低功耗和高精度32.768kHz两类产品，超小尺寸，µPower功耗和高精度的独特组合，使这些器件非常适合对空间敏感的电池驱动产品进行计时。 这些器件具有可编程的驱动强度，可以驱动多个负载，例如BLE睡眠时钟，RTC，音频和其他连接性SOC。低功耗和高精度。
MHz单端有源晶振
MEMS MHz振荡器组合产品组，包括低功耗系列（mA级）， 超低功耗系列（uA级），和低抖动系列（1-220MHz）三类产品。 这些器件具有石英晶振无法提供的可配置功能，旨在提高可靠性，缩短交货时间并解决独特的时序问题，例如EMI和系统内可编程性。 它们可以替换石英晶振，而无需任何重新设计或电路板布局更改。
差分振荡器LVDS/LVPECL
为网络，服务器，存储和电信应用提供了广泛的高性能差分振荡器产品组合，包括低抖动LVDS/LVPECL/HCSL 和低成本1-625MHz两类产品。 SiTime差分振荡器在常见环境危害的情况下，提供了低抖动以及电源噪声抑制（PSNR）。
汽车级振荡器AEC-Q100
汽车级振荡器在-40°C至125°C的温度范围内具有±20 ppm的频率稳定性，包括汽车级单端晶振和汽车级差分振荡器DXO两类产品。 与石英相比，它们的稳定性高出两倍，可靠性高出20倍，抗冲击和振动性高30倍，并且提供灵活的可配置式上升/下降时间控制项，无需任何PCB更改，便可改进走线阻抗匹配并减少电磁干扰。
宽温军品级抗冲击振荡器
抗冲击MEMS振荡器由于其设计，更小的质量和超干净的制造工艺，其固有的性能比石英强。此外，振荡器IC中先进的模拟设计技术增加了MEMS振荡器的弹性和性能包括-55~125℃工作温度和-40~125℃工作温度两类产品。
扩频振荡器SSXO
EMI降低振荡器通过扩频时钟和时钟信号的上升/下降时间调整来确保发射合规性，包括单端扩频振荡器和差分扩频LVDS/LVPECL/CML/HCSL两类产品。 SiTime的Time Machine II编程器支持它们，使工程师能够快速降低排放水平并确保客户通过合规性。
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